氘气光纤拉制过程

光纤在拉制过程中，会产生一些无序的Si-O自由基团，极易和H生成Si - OH，造成1385nm处的水峰增加。因此各种全波光纤拉完丝后都要经过氘处理，才能够经受得住长时间的含氢环境的侵蚀。

  氘处理的原理是让氘和Si-O自由基团形成Si-OD，吸收峰在1850nm，这样在光纤的整个寿命期间，氢就无法取代氘的位置。氘和Si-0自由基团的反应如下：

                                          Si-O + D2 → Si-OD

  按照ITU-T G.652C/D的要求，光纤在经过氢老化后光纤的1383±3nm处的衰减系数要不低于1310nm处的衰减，才能称作全波光纤。

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